Výrobca Číslo produktu:
TSM070NA04LCR RLG
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM070NA04LCR RLG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 91A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventár:
12899663
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM070NA04LCR RLG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
91A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1469 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
113W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-PDFN (5.2x5.75)
Balenie / puzdro
8-PowerLDFN
Základné číslo produktu
TSM070
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
TSM070NA04LCR RLGDKR
TSM070NA04LCR RLGCT
TSM070NA04LCR RLGCT-DG
TSM070NA04LCR RLGTR
TSM070NA04LCR RLGTR-DG
TSM070NA04LCRRLGDKR
TSM070NA04LCRRLGTR
TSM070NA04LCRRLGCT
TSM070NA04LCR RLGDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11486
ČÍSLO DIELU
IPZ40N04S5L7R4ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM5NC50CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO220
TSM1NB60SCT B0G
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
TSM1N45CW RPG
MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223
